（原标题：EUV光刻机争夺战，风浪突变）

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光刻机一直是半导体领域的热点话题。

从早期的深紫外（DUV）光刻机起步，其褂讪可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；到自后的极紫外（EUV）光刻机以其特殊的极紫外光源和更短的波长，得手将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径（High-NA）光刻机正经登上历史舞台，进一步教训了光刻的精度和成果，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。

尤其是跟着ASML High-NA EUV光刻机的问世，这一面前寰宇上起先进的芯片制造开荒，显赫教训了芯片的晶体管密度和性能，这对于已毕2nm以下先进制程的大界限量产至关关键。

在此状貌下，英特尔、台积电、三星、SK海力士等晶圆制造大厂不雅机而动，争相导入或通知High-NA EUV光刻机市集进展，预示着半导体行业将迎来新一轮的时间改良和竞争高涨。

英特尔：流年不利

在半导体巨头中，英特尔是率先向ASML订购新式High-NA EUV开荒EXE:5000的企业。

早在2023年12月，英特尔就拿下了全球首台High NA EUV光刻机，并于本年4月通知其已在位于好意思国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X研发晶圆厂完成寰宇首台商用High-NA(0.55NA) EUV光刻机的拼装职责，面前已进入光学系统校准阶段，并筹办在其18A（1.8nm）和14A（1.4nm）节点上使用。

本年8月，英特尔又通知得手招揽全球第二台价值3.83亿好意思元的High-NA EUV光刻机，面前在俄勒冈州的晶圆厂照旧得手完成装配调试。

ASML早些时候曾暗示，2nm光刻机近期的产能惟有10台，瞻望到2028年才能每年坐蓐20台。值得属主义是，这10台最新光刻开荒，公开贵寓骄矜有6台已被英特尔拿下。

可见，在起先进光刻机的导入进展上，英特尔取得了遥遥最初的上风。

常言谈“失败乃得手之母”，而英特尔之是以如斯积极的采用High-NA EUV开荒，实质上很大原因在于其此前在EUV上跌过的跟头。

Tick-Tock模式战败、错失EUV时间窗口

尽人皆知，英特尔与ASML和洽了数十年时辰，推动了光刻时间从193nm浸没式光刻时间发展到EUV，但出于成本接洽，英特尔时任CEO不肯接受崇高的ASML EUV光刻机，采用不在其10nm工艺中使用该时间，而是使用DUV光刻机进行四重图案化，适度导致英特尔在良率方面遭受了重重繁重。

回来历史能看到，2011年英特尔首发了22nm FinFET工艺，远超那时台积电、三星的28nm，时间上风可谓遥遥最初。可是从14nm节点初始，英特尔接连遭受重创。

2014年，英特尔和三星齐已毕了14nm制程芯片的坐蓐，可到2017年，台积电照旧股东到10nm、7nm工艺，英特尔却因为不肯意接受最新的EUV光刻时间，导致其原筹办在2016年大界限量产10nm芯片直到2019年才已毕量产，比台积电推出时辰晚了两年半，而其7nm芯片更是直至2022年才推出。

实质上，除了没能把抓住EUV时间以外，英特尔代工的零落与其“Tick-Tock”政策也脱不了关系。

英特尔前任CEO保罗·欧德宁对于芯片制造曾提倡“Tick-Tock”政策，即在Tick年（工艺年）更新制作工艺，Tock年（架构年）更新微架构，荒谬于每两年一次工艺制程逾越。但同期，为膨胀“高效料理”、“成本量入制出筹办”，英特尔裁人2万东谈主，大量参与下一代芯片工艺和架构研发的工程师被撤离，导致“Tick-Tock”模式难以接续，14nm芯片蔓延一年才推出，10nm芯片更是几番推迟。

英特尔像挤牙膏不异对芯良晌间进行轻浅的年度更新，那些年一度被寰球调侃为“牙膏厂”。

跟着Tick-Tock模式的崩溃，以及错失EUV早期时间窗口，英特尔初始缓缓掉队。

与此同期，台积电和三星从ASML大量采购EUV开荒，不停收缩芯片的制程尺寸，提高芯片的成果和性能，大大教训了在晶圆代工领域的竞争力。在先进制程上，英特尔被台积电、三星远远甩在了死后。

更严重的是，坐蓐工艺逾期、家具竞争力下滑，不仅影响了英特尔的代工业务，也使其台式机芯片和工作器芯片的市集份额不停被蚕食。

可谓，牵一发而动全身。

英特尔自救，前路安在？

因此，切肤之痛后的英特尔，率先对High-NA EUV光刻机张开了攻势，试图追回被拉开的差距。

上头提到，2024年4月，重达150吨的巨灵通荒被装配在英特尔位于好意思国俄勒冈州的研究状貌里。

这亦然在英特尔CEO Pat Gelsinger提倡“IDM 2.0”政策后，飞速重新聚焦于顶端制程工艺的教训，提倡了四年五个工艺节点的筹办，但愿在2025年凭借Intel 18A已毕对于台积电2nm工艺的追逐和超越。

与此同期，英特尔但愿通过率先接受High NA EUV光刻机来已毕对于台积电等竞争敌手的接续最初。英特尔的筹办是在2026至2027年间已毕Intel 14A制程时间的量产，并在此基础上进一步教训制程时间。最终在2030年前已毕英特尔代工业求已毕进出均衡的运渔利润率，并成为全球第二大晶圆代工场。

筹办指引下，英特尔正在不停加强代工基础状貌配置，筹办异日5年投资1000亿好意思元扩大先进芯片制造才能。同期将投资约300亿欧元在德国马格德堡配置两家半导体工场。这些投资筹办将使英特尔芯片代工才能大幅教训。

可是，政策愿景很好意思好，但本质却很狞恶。

尽管英特尔自利自为，但由于四年五个节点及阶梯演进、生态构建和产能扩建等多数的进入，英特尔露馅其代工业务前年营收同比下落31.2%至189亿好意思元，筹画亏空70亿好意思元，同比扩大34.6%。

2024年有可能将是英特尔芯片制造业务筹画亏空最严重的一年，本年Q1财报骄矜，该业务运营亏空25亿好意思元，简直是上一季度的两倍；Q2亏空更是达到28.3亿好意思元，代工亏空额不停扩大。

据研究机构TrendForce集邦商酌数据，2024年二季度，英特尔并未进入全球晶圆代工场营收前10名。在往常几年里，英特尔也曾在2023年第三季度良晌上榜，市集份额仅为1%。

这意味着，IFS三年来无法确切托举起英特尔以顶端芯片制造重塑行业地位的筹办，同期算作好意思国脉土惟一有才能能承担起前沿代工行业承担着的脚色，英特尔也无法扛起期间重负。

据心智不雅察所报谈，好意思国半导体商酌公司D2D Advisory总裁Jay Goldberg也特别指出：“英特尔代工濒临真的切挑战，还在于他们的经济模式中必须要领有更多的客户，以辅助不停股东其制造经过所需的研发。必须加大外部客户需求，将收入界限加多一倍，以辅助保持在摩尔定律的轨谈上陆续前进。”

不丢丑到，英特尔面前已堕入到两难境地，事迹接续下滑，2024年致使由盈转亏，股价暴跌快要60%，市值几度跌破千亿好意思元，成为标普500指数中阐述最差的科技股之一。

面对危急，英特尔在里面信上暗示，将进一步辨别芯片制造和想象业务，这是该公司处置50年历史上最严重危急之一的一系列新循序的一部分。

凭证英特尔此前公布的预测数据骄矜，分拆晶圆制造业务后，2023年不错量入制出30亿好意思元成本，2025年将量入制出 80-100亿好意思元成本。同期也推迟德国和波兰建厂筹办2年；马来西亚建厂则会完成，但正经启用时辰则视市况与产能愚弄率而定。

在英特尔陆续伏击行动践诺上个月通知的筹办的同期，英特尔也在竭力严慎料理现存的现款，以故真谛地改善钞票欠债表和流动性。其中就包括出售部分 Altera的股份，并推动其落寞IPO；家具研发策略方面，也筹办将简化x86家具组合。这亦然英特尔屡次公开磋议的筹办。

本年8月，英特尔致使还被曝出正在接洽分拆其家具和代工业务。值得一提的是，在传出或分拆其晶圆业务之后，英特尔股价曾反弹9%以上，可见投资者对芯片代工业务有多失望。

处在低谷中的英特尔便是好意思国芯片制造业的一个缩影，成本、时间、资源、IDM身份等，齐在制约英特尔贪念勃勃的芯片代工筹办。但尽管业界也有毁灭芯片代工的可能性探讨，尽管芯片代工业务接续的亏空照旧让老本市集不幽静，但这亦然为数未几能挽救英特尔于水火的要津布局。

英特尔莫得采用，惟有收拢任何的可能性，硬着头皮上。

因此，英特尔需要最顶端的High-NA EUV光刻机算作坐蓐和营销器具，以宣示自身在3nm以下的研发制造实力且尝试壮大客户群，但High-NA EUV光刻机算作新机，又让英特尔不得不冒着开荒折旧和量产摊销成本的压力以平息外界质疑。

从行业竞争的接续以及芯片代工“重钞票、长周期”的产业属性来看，英特尔还有诸多硬仗要打。尤其是在英特尔开启公司史上最大转型以自救的处境下。

英特尔往常也有过从窘境中复苏的履历。1980年代在日本企业的攻势下，英特尔撤出了DRAM，把筹画资源聚首于CPU，席卷了个东谈主电脑市集。

正如基辛格所述：“这是英特尔四十多年来最关键的转型。自从内存过渡到微处理器以来，咱们还莫得尝试过如斯关键的事情。咱们那时得手了，咱们将接待这一时刻，并在异日几十年内打造更壮健的英特尔。”

但英特尔的各样自救，仍需要时辰西宾。

三星电子，陷代工阴雨

本年8月，在“2024年光刻+图案学术会议”上，三星电子暗示为了在与英特尔、台积电等全球半导体竞争敌手的“芯片战”中保持竞争力，公司正在积极参与时间开发，最早将在2024年底到2025第一季度之间引进公司首台High-NA EUV开荒“EXE:5000”，并有望在2027年已毕该时间的全面买卖化。

据悉，该开荒可能被放手在位于华城园区的半导体研究所(NRD)，瞻望将用于代工业务，以进一步教训在先进节点领域的竞争上风。

实质上，三星芯片代工在早年占据了系数上风。2007年乔布斯发布第一代iPhone时，使用的正是从三星采购的ARM架构芯片。后续搭载于iPhone 4、iPhone 4s、iPhone 5、iPhone 5s/5c身上的A4、A5、A6、A7芯片也均由三星代工，那时候还莫得台积电什么事。

直到2011年，因为三星我方也从事手机芯片和手机终局研发和销售业务，如斯一来就与苹果在智高东谈主机市集上有了竞争关系。两边彼此拉扯，直到2018年6月才达成息争。

在这个过程中，苹果也开启了“去三星化”进度。2014年推出的A8芯片，一起转由台积电代工。台积电能得手从三星手中抢到苹果的订单，一方面是苹果急着寻找可替代的代工商，给台积电制造了很大的契机。另一方面是台积电在20nm工艺上取得紧要冲破，良品率大幅教训，而三星的20nm工艺一霎掉链子，要津问题迟迟无法处置，良品率满足不了苹果的要求。正是这么的天时地利，让台积电得手抱到了苹果这条大腿。

反不雅三星，大客户被抢之后，决定不搞20nm，采用径直从28nm跳到14nm，对台积电的16nm造成反超。是以，在2015年的A9芯片上，苹果又重新分给三星一部分订单，于是出现台积电代工和三星代工两种版块。表面上，三星14nm阐述应该是优于台积电16nm，但耗尽者的口碑却完全相背，好多东谈主齐担忧买到三星代工的版块。

这次的失利，让三星澈底失去苹果的代工订单，苹果公司之后的芯片均由台积电代工，制程也从2015年的16nm，稳步教训到4nm。

与此同期，高通也险些在三星代工中跌了跟头，骁龙8+Gen1伏击转为台积电4nm代工，才强行挽回了高通的口碑和市集面位。

在芯片代工赛谈上，三星具有起步上风，但怎么中期贯穿屡次失利，才让台积电一步步已毕反超，直于当天的大幅最初。可是，三星也明晰我方与台积电之间存在这时间差距，是以思要对台积电造成反超，就必须拿出更强的“杀手锏”。

于是，三星简直把追逐台积电的一起但愿齐押注在3nm工艺上。2023年，三星率先推出3nm制程工艺，接受愈加先进的GAA（环绕栅极晶体管）时间，最初于台积电的FinFET时间。

不错说，3nm荒谬于三星临了的“济河焚州”，如果能一举追逐台积电，或者异日有契机造成双雄争霸的局面。

可是从市集进展来看，三星3nm工艺在良率方面濒临挑战，这导致了一个很莫名的局面，即三星的3nm芯片，固然比台积电先推出，但是成本却比台积电高出好多，性能阐述也存在差距。据悉，三星第二代3nm制程工艺良品率不褂讪，自家Exynos2500良品率齐不及20%，三星Galaxy25系列手机全系搭载骁龙8Gen4处理器，毁灭自研Exynos2500版块，原因是体验各异太大。

与台积电差距拉开之后，给三星下订单的客户越来越少。

往常高通先进制程的芯片一直齐是三星独家代工，适度在5nm芯片之后，高通也将先进制程的芯片订单交给了台积电；现如今，苹果的A17、A18系列芯片，一起接受台积电的3nm工艺制造；高通的3nm芯片和联发科的天玑9400等也全由台积电代工；连英伟达、AMD、特斯拉的3nm芯片，齐是台积电代工，包括当今英特尔的订单也给了台积电。

在芯片制造上，台积电一家拿下了全球60%以上的市集份额，3nm的芯片制造简直拿下100%的份额，而7nm以下的芯片制造，拿下了90%的份额。第二大晶圆厂三星的市集份额仅为11.5%。

据《朝鲜日报》音书，三星照旧将平泽2厂，3厂的4nm，5nm和7nm坐蓐线关闭了30%产能。瞻望到2024年底，还将陆续关闭产能直到50%。这一举措显然是为了搪塞全球科技巨头如英伟达、AMD及高通等未能予以三星电子大界限订单的近况。

有行业行家强调，一朝开荒关闭，规复平淡运营是一个漫长的过程。时时情况下，即使在需求低迷时期，公司也会责问愚弄率，而不是全面停工。可是，三星近30%的先进工艺开荒闲置是前所未有的。

2024年第三季度，三星包括晶圆代工和系统LSI等非內存部门亏空金额非常1万亿韩元。此外，三星3nm制程的良率接续处于低位，也一直莫得获取大客户的接受，近期还将好意思国得州泰勒市先进代工晶圆厂量产时辰延后到2026年。

概括来看，这么的差距，让三星在3nm期间，思要超越台积电的梦思澈底破裂了。

因此，三星引进High-NA EUV光刻机的音书，意味着其将与英特尔和台积电鄙人一代光刻时间上张开更为猛烈的竞争。

三星筹办在2025年量产2nm制程，并缓缓扩展到其他应用领域。比如，2025年来源用于行动领域，2026年扩展到HPC应用，2027年再扩展至汽车领域。三星的2nm制程节点接受了优化的后头供电收集时间，以责问供电电路对信号电路的阻扰。

这一发展标识着三星初次涉足High NA EUV时间。此前，三星电子曾与IMEC和洽进行电路处理研究。三星筹办愚弄我方的开荒加快先进节点的开发，并设定了到2027年已毕1.4nm工艺买卖化的筹办，这可能为1nm坐蓐铺平谈路。

此外，为了已毕全面买卖化，三星还正在积极构建联系生态系统。

据悉，三星电子已购买了雷射时间公司的High-NA EUV掩膜检查开荒"Actis(ACTIS) A300"。瞻望在三星电子里面完成ASML的EXE:5000装配后，将从来岁上半年头始正经引进。同期与电子想象自动化（EDA）公司和洽想象新式光罩，包括用于High-NA EUV的非直线(Curvilinear)掩膜电路绘图方法，以提高晶圆上印刷电路的澄澈度。这次和洽触及半导体EDA器具全球劝诱者Synopsys等公司。

除了ASML、雷射时间公司、Synopsys以外，三星电子瞻望还会与JSR等光刻胶公司、将光刻胶涂在晶圆上的追踪开荒"Number One"东京电子等多家公司和洽，为High-NA期间到来作念准备。据悉，三星电子正通过这么的生态系统配置职责，准备在2027年正做生意用High-NA。

三星电子的晶圆代工业务正站在一个要津的十字街头，其命悬一线，似乎全系于2nm芯片制程时间的量产之上。这不仅是时间上的飞跃，更是三星晶圆代工业务能否重获荣达的要津。

可是通往得手的谈路从来齐不是一帆风顺的。三星在股东其时间蓝图的过程中，不得不面对一系列严峻的挑战：

来源是时间层面的难题，先进制程的良率问题一直是悬在半导体厂商头上的达摩克利斯之剑。三星的3纳米制程就因良率低迷、可靠性存疑而未能达到量产圭臬，这无疑给其晶圆代工业务蒙上了一层暗影。

更倒霉的是，市集的响应也并未如三星所愿。尽管三星竭力教训时间实力，但在客户心中，其晶圆代工业务的可靠性和竞争力仍显不及。面对台积电等强劲敌手，三星在争取高端客户方面显过劲不从心。这种市集窘境，进一步加重了三星的财务压力。据估算，三星晶圆代工业务在第三季度恐将亏空数千亿韩元，这是对三星料理层的一次紧要锻真金不怕火。

面对内忧外祸，三星高层不得不作念出一系列勤劳的决定。

凭证研究公司Statista的数据，尽管三星多年来一直竭力挑战台积电，但三星在代工制造市集的份额在往常五年里下落了8个百分点，2024年第二季度，三星占据全球代工市集份额的11.5%，而台积电占据62.3%的市集份额。

三星市集份额的下落突显了其在掌抓先进芯片制造时间方面濒临的时间挑战，在代工业务上投资过多，既莫得获取迷漫的客户，也莫得褂讪坐蓐工艺，这进一步导致了三星面前的危急。

概括来看，半导体行业本人是时间快速迭代与市集幻化莫测的领域，三星必须保持迷漫的历害度，以搪塞异日的变化。如安在快速变化的市聚积找到稳当自身发展的谈路，是三星现时亟待处置的问题。

台积电“丝丝入扣”，赢下“谈判游戏”

算作半导体行业的劝诱者，台积电在往常的30多年中立下了赫赫军功。往常多年来，在面对三星和英特尔带来的巨大挑战和压力时，台积电揣时度力并选用灵验的循序，成为了寰宇第一大芯片代工企业。

如今，即使行业头部半导体企业纷繁争夺High-NA EUV开荒，台积电似乎并不急于加入这一滑列。

此前，谈到何时导入High-NA EUV开荒，台积电资深副总暨副共同营运长张晓强接受外采访时领略，台积电计上心来，不会因为敌手们抢先添购开荒而盲目扩大采购，仍采面面俱圆花式布局先进制程，接待挑战。

可是，近期有音书报谈，台积电瞻望将于本年年底从ASML招揽首批全球起先进的芯片制造开荒——高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻机。这一音书标识着台积电在半导体制造领域再次迈出了关键一步。

敬爱敬爱的是，台积电前期以成本为由，迟迟不肯接受High NA EUV。早些时候，台积电CEO魏哲家缺席“台积电时间研讨会2024”，而是赶赴荷兰埃因霍温的ASML总部洽谈开荒。

如今看来，这有点像台积电的谈判游戏，也许是在与ASML争取更好的条款。

据说魏哲家躬行与ASML谈判并达成了一项合同，通过购买新开荒和出售旧型号相连接的花式，将合座价钱责问了近20%。ASML痛快以扣头价向台积电出售High-NA EUV开荒的原因主如果因为台积电是其超等VIP客户，ASML予以了很大的腐败。这一腐败包括全力协助台积电进机、调校与时间解救等，以加快上线时辰点。

因此，台积电的作风也发生了戏剧性的滚动，由原先对新款High NA EUV光刻机价钱的逗留，转为积极寻求和洽。

据悉，台积电则瞻望将在本季度在其位于中国台湾新竹总部隔邻的研发中快慰装新的High NA EUV光刻机。短期内，台积电筹办将High NA EUV光刻机主要用于研发，以开发客户推动转换所需的联系基础状貌和模式处置决议。

凭证ASML的阶梯图，第一代的High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5000或者主如果被晶圆制造商用于联系实验与测试，以便公司更好地了解High-NA EUV开荒的使用，获取贵重告戒。实质地产将会依赖于2024年底出货的TWINSCAN EXE:5200。

台积电行将推出的N2（2纳米级）和A16（1.6纳米级）工艺时间将完全依赖于传统的EUV开荒，这些开荒的光学元件具有0.33 NA。业界瞻望，台积电最早可能在2028年或更晚的A14（1.4纳米级）工艺时间中接受0.55 NA EUV器具，尽管面前公司尚未对此进行官方阐明。

与竞争敌手比较，台积电不错通过接续的坐蓐实践积蓄贵重的告戒数据与优化工艺，从而难以构建起“订单驱动-时间迭代-再获订单”的良性轮回体系。换言之，台积电有着极为弘大的优质客户群协助他们调试各式开荒bug，这恰正是三星和英特尔所穷乏的。

台积电布局策略：无宝不落

笔者此前曾提到，从三巨头布局策略和花式来看，台积电往往被以为是一个保守时间开发者，其倾向于确保新时间的熟练和可靠性，然后再进行部署，而不是急于将新时间推向市集。

从实质的市集阐述来看，台积电此举不错责问时间失败的风险，提高其芯片的产量和质地，从而确保客户的幽静度。

举例，三星在2018年头始在其7nm工艺中使用EUV光刻机，可是台积电采用恭候。直到EUV器具的褂讪性和熟练性得到阐明，以及联系问题得到处置或至少得到战胜，才在2019年的N7+工艺中初始使用EUV。

而后，在FinFET向GAA工艺的过渡上，台积电依旧重操这一模式。凭借工艺最初性和坐蓐良率上的时间上风和积蓄完全有实力与接受GAA时间架构的三星抗衡。

在英特尔即兴押注的BSPDN后头供电时间上，台积电依旧不紧不慢，筹办将在2026年底才初始大界限坐蓐的N2P上加入。

这种严慎的方法有助于台积电确保其制程时间的褂讪性和可预测性，从而提供高质地的芯片给其客户。

但从先进封装领域来看，台积电则一改常态，积极布局率先落地，在先进制程与先进封装的组合拳下，为其带来了新的增长海潮。

在这张弛有度的策略下，充分突较着台积电的政策形而上学和特有眼神。在其看准的蓝海赛谈，台积电永远敢为东谈主先，非论是十年前率先试产16nm FinFET制程时间超越英特尔，如故五年前部署先进封装获利如今的AI红利，台积电齐精彩演绎了所谓凤凰无宝不落。

而在其保持较大上风的先进制程领域，纵令面对三星和英特尔的紧追不舍，台积电莫得采用盲目激进，反而选用了先不雅察再奴隶的策略，在作念好充分的准备和筹办后“亦步亦趋”，凭借自身壮健的产能、良率和客户基础的基本盘上风，督察屡战屡捷。

SK海力士发力 High NA EUV，

押宝HBM

此外，在存储领域，SK海力士的首台High NA EUV光刻机“EXE:5200”则有望2026年引入，旨在辅助其先进DRAM家具的量产。这一举措进一步彰显了半导体行业对于先进制程时间的接续追乞降进入。

2023年，SK海力士就曾单独组建了一个团队，专门开发High-NA EUV时间。

SK海力士算作HBM领域巨头，正不停加大对High-NA EUV时间开发的里面进入，积极扩大联系研发团队。尽管对于开荒装配的具体晶圆厂位置及额外投资场地等信息尚未公开，但业界遍及预期，该时间将飞速应用于0a（个位数纳米）DRAM的界限化坐蓐，以进一步教训家具竞争力。

7nm以下的寰宇是另类冒险家的乐土，台积电，三星和英特尔的竞合关系变得愈发深奥。

凭证光刻机之“瑞利公式”，光刻工艺的教训在往常几十年来一直在多维度全面出击，即不停优化曝光波长、数值孔径以及工艺因子。但面前曝光波长的裁汰、数值孔径（NA）的加多齐照旧靠近了物理和成本概括考量的极限。

如今距离摩尔定律的极限越来越近，行业简直走到了纯碎终点，2nm及接下来几代工艺节点将会是芯片巨头抢滩的要津。

在全球范围内，台积电、英特尔和三星等半导体巨头之间的竞争正在升温，它们竞相获取2nm以下工艺的High NA EUV开荒。英特尔于2023年12月率先获取该开荒，台积电于2024年第三季度紧随其后。尽管三星的订单来得晚，但已毕褂讪的坐蓐可能是决定行业最初地位的要津身分。

但芯片代工的竞争，不单是是时间的竞争，更是客户、品牌、良率、产能等各方面的概括竞争。不知谈，英特尔和三星能否在新市集的朝晨期收拢重新崛起的契机。如果失败，台积电将陆续独占鳌头。

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